QS5U28
Transistor
8
7
6
5
4
3
2
1
Ta=25 ° C
V DD = ? 15V
I D = ? 2A
R G =10 ?
Pulsed
0
0
1
2
3
4
5
6
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.10 Dynamic Input Characteristics
Measurement circuits
Pulse Width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
R G
D.U.T.
10%
10%
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t r
t on
t off
Fig.11 Switching Time Measurement Circuit
Fig.12 Switching Waveforms
V G
I G(Const)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.13 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.14 Gate Charge Waveforms
Rev.A
4/4
相关PDF资料
QS5U33TR MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
QS5U34TR MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
QS5U36TR MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
QS6J11TR MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
QS6K1TR MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
QS6K21TR MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6
QS6M3TR MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
QS6M4TR MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
相关代理商/技术参数
QS5U33 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+SBD MOSFET
QS5U33TR 功能描述:MOSFET 30V; 2A; N-Channel Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
QS5U34 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch+SBD MOSFET
QS5U34TR 功能描述:MOSFET N Chan20V1.5A Load Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
QS5U36 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch+SBD MOSFET
QS5U36TR 功能描述:MOSFET N Chan20V2.5A Load Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
QS5V9912JRC 制造商:QUALITY SEMI 功能描述:
QS5V991-7JR1 制造商:QSI 功能描述: